巴斯夫开发高性能PPA可用于下一代IGBT半导体外壳

盖世汽车讯 10月14日，巴斯夫为下一代电力电子产品开发出一种特别适用于制造IGBT(绝缘栅双极晶体管)半导体外壳的聚邻苯二甲酰胺(PPA)——Ultramid?Advanced N3U41 G6，可满足电动汽车、高速列车、智能制造和可再生能源发电等领域对高性能、可靠电子元件日益增长的需求。电力电子技术公司赛米控丹佛斯(Semikron Danfoss)目前将巴斯夫PPA用作其Semitrans 10 IGBT的外壳材料，该IGBT可以安装在光伏和风能系统的逆变器中。Ultramid?Advanced N级材料具有出色的耐化学性和尺寸稳定性，可增强这些IGBT的鲁棒性、长期性能和可靠性，从而满足市场对节能、更高功率密度和更高效率日益增长的需求。IGBT能够有效地切换和控制电力电子产品中的电路。

郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。